MOVPE相关论文
GaN是重要的宽禁带半导体材料,在半导体照明、大功率电力电子器件等领域拥有广阔的应用前景。金属有机气相外延（简称MOVPE）是GaN薄膜......
Nanowires require surface passivation due to their inherent large surface to volume ratio.We investigate the effect of e......
金属有机物气相外延(MOVPE—Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)技术是获得Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体优质外延层的重要途径,是一个涉......
Gallium nitride (GaN) and related compounds have already raised to the position of technologically most significant semi......
Electrical and optical characteristics of highly transparent MOVPE-grown AlGaN-based tunnel heteroju
We present the growth and electro-optical characteristics of highly transparent AlGaN-based tunnel heterojunction light-......
在热力学分析的基础上，计算了在Ｇａ（ＣＨ３）３—ＡｓＨ３—Ｈ２体系中在５００Ｋ—１２００Ｋ的温度范围内，可能的含砷及砷化物的形态和浓度．同时通过大量的模拟实验找出了去除尾气......
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质......
用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的......
对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光......
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明，改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 T......
本文报道了用低压ＭＯＶＰＥ和ＲＦ－分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的ＧａＮ生长。以“双Ａｌ单层”模型讨论了用ＭＯＶＰＥ和ＭＢＥ法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ的极性选择的......
人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件。GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料。 6H SiC衬底......
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、......
研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长......
采用液态的叔丁基砷 (tertiarybularsine ,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine ,TBP)为源材料 ,用有机金属气相外延 (metalorg......
在金属有机化学气相外延(MOVPE)生长GaN薄膜的反应-输运过程数值模拟中,反应动力学参数(活化能和指前因子)的选取存在很大的不确定......
氮化铝（AlN）半导体薄膜具有能带间隙宽（6.2eV）、化学键能强、导热性能好以及热膨胀系数小等特点,广泛应用于蓝光LED和紫外光电器件的制......
以AlN和GaN为基础的III族氮化物半导体材料,由于其在高亮度LED以及大功率电力电子器件中的应用而获得了广泛关注。金属有机化学气......
AlN具有宽直接带隙、耐辐射、耐高温、高击穿场强等特点,是重要的第三代半导体材料,广泛用于制备半导体激光器(LD)、高亮度发光二......
文章综述了光电子材料技术的发展梗概，通过对比分析，从发展趋势上论述了ＭＯＶＰＥ法在生产光电子技术功能材料方面的进展。尤其进入９０年代中期以......
利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率......
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征......
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的......
在英国用MOVPE(金属有机汽相外延)法生长红外探测器用的Cd_xHg_(1-x)Te已研究了将近十年。首次报导采用MOVPE法生长碲镉汞是在198......
MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,......
本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和......
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该文利用MOVPE技术进行了GaN横向外延生长,并对横向外延GaN的结构特性和光学性质进行了系统的研究.主要包括以下内容:1.对比研究了......
该论文工作以减少GaN/AlO外延薄膜的位错密度为目标,用MOCVD侧向外延生长GaN外延薄膜,并运用多种手段对侧向外延GaN薄膜进行了系统......
对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Improved ESD characteristic of GaN-based blue light-emitting diodes with a low temperature n-type Ga
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文模拟ＭＯＶＰＥ工艺设定热力学条件，建立了涉及５个相和５４个气相物种的ＩｎＡｓＳｂＣＨ五元系热力学系统。采用先进的热力学计算方法，对该系统进行了热......
通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施，在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中，用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲......
运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能......
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生......
Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with terti......
期刊
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0n......
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子......
